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CSD18534KCS	文件：1.21103 Mbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18534KCS；Package：TO-220；CSD18534KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：1.21103 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18534KCS.B	文件：1.21103 Mbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18534KCS；Package：TO-220；CSD18534KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：1.21103 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD18534KCS.B	文件：1.21103 Mbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18534KCS；Package：TO-220；CSD18534KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：1.21103 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18534KCS	文件：322.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD18534KCS	文件：843.63 Kbytes Page：8 Pages	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：843.63 Kbytes 页数：8 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18534KCS	文件：999.52 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：999.52 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
CSD18534KCS
功能描述：
MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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