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CSD18535KCS	文件：889.09 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD18535KCS；Package：TO-220；CSD18535KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 60V, 1.6mΩ, TO-220 NexFET™ power 文件：889.09 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD18535KCS	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD18535KCS	文件：338.7 Kbytes Page：11 Pages	CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：338.7 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KCS_15	文件：338.7 Kbytes Page：11 Pages	CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：338.7 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

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