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CSD19501KCS	文件：1.21236 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19501KCS；Package：TO-220；CSD19501KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 80V, 5.5mΩ, TO-220 NexFET™ power 文件：1.21236 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD19501KCS.B	文件：1.21236 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19501KCS；Package：TO-220；CSD19501KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 80V, 5.5mΩ, TO-220 NexFET™ power 文件：1.21236 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19501KCS	文件：321.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：321.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19501KCS	文件：814.88 Kbytes Page：10 Pages	CSD19501KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：814.88 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

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