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CSD19534KCS	文件：827.97 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19534KCS；Package：TO-220；CSD19534KCS 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 100V, 13.7mΩ, TO-220 NexFET™ pow 文件：827.97 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19534KCS.B	文件：827.97 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19534KCS；Package：TO-220；CSD19534KCS 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 100V, 13.7mΩ, TO-220 NexFET™ pow 文件：827.97 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD19534KCS	文件：321.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 16.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D 文件：321.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19534KCS	文件：326.11 Kbytes Page：12 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：326.11 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19534KCS_15	文件：300.07 Kbytes Page：12 Pages	CSD19534KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：300.07 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

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