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CSD19503KCS	文件：1.14742 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19503KCS；Package：TO-220；CSD19503KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 80V, 7.6mΩ, TO-220 NexFET™ power 文件：1.14742 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD19503KCS	文件：322.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19503KCS	文件：768.68 Kbytes Page：10 Pages	80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：768.68 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
CSD19503KCS
制造商：
Texas Instruments
功能描述：
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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