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CSD18509Q5B	文件：557.62 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18509；Package：VSON-CLIP；CSD18509Q5B N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Ultra-Low On Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 De 文件：557.62 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD18509Q5B	文件：464.89 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：464.89 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD18509Q5BG4.B	文件：560.94 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD18509；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD18509Q5B N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultra-Low On Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Des 文件：560.94 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
1.7
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
1.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
150
QGD typ (nC)：
17
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
299
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD18509Q5B供应商更新时间2026-1-29 14:14:00

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