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CSD19536KTT	文件：784.56 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19536KTT；Package：DDPAK；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T 文件：784.56 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTT	文件：322.16 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.4mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：322.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19536KTT	文件：882.06 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：882.06 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTT	文件：852.94 Kbytes Page：14 Pages	CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：852.94 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTT.B	文件：784.56 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19536KTT；Package：DDPAK；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T 文件：784.56 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTTT	文件：784.56 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19536KTT；Package：TO-263；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T 文件：784.56 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTTT.B	文件：784.56 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19536KTT；Package：TO-263；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T 文件：784.56 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTT_15	文件：852.94 Kbytes Page：14 Pages	CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：852.94 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTTT	文件：882.06 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：882.06 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.4
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
118
QGD typ (nC)：
17
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
2.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
272
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市铭微讯电子有限公司	CSD19536KTT	TI	2021+,2022+	TO-263	20000	原装正品,欢迎询价	询价
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更多CSD19536KTT供应商更新时间2026-4-22 10:03:00

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