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CSD19536KTTT	文件：784.56 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19536KTT；Package：TO-263；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T 文件：784.56 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTTT	文件：882.06 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：882.06 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19536KTTT.B	文件：784.56 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19536KTT；Package：TO-263；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T 文件：784.56 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
L-19536	文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT DRUM CORE INDUCTOR 文件：16.12 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND

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