丝印：25211；Package：DSBGA；CSD25211W1015, P-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm • Low profile 0.62 mm height • Pb Free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection – 3 kV • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery P

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P-Channel NexFET??Power MOSFET

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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。顶视图 RθJA = 119°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板(PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 铜过渡片上测得的典型值。脉宽 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2% • 超低导通电阻 \n• 小尺寸封装 1.0mm x 1.5mm\n• 无铅 \n• 栅极静电放电 (ESD) 保护-3kV\n• 无卤素;

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丝印：25211；Package：DSBGA；CSD25211W1015, P-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm • Low profile 0.62 mm height • Pb Free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection – 3 kV • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery P

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