首页>CSD25211W1015>规格书详情
CSD25211W1015中文资料德州仪器数据手册PDF规格书
CSD25211W1015规格书详情
1 Features
• Ultra-low on resistance
• Ultra-low Qg and Qgd
• Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
• Low profile 0.62 mm height
• Pb Free
• Gate-source voltage clamp
• Gate ESD protection – 3 kV
• RoHS compliant
• Halogen free
2 Applications
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection
3 Description
The device is designed to deliver the lowest on
resistance and gate charge in the smallest outline
possible with excellent thermal characteristics in an
ultra-low profile.
产品属性
- 型号：
CSD25211W1015
- 功能描述：
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
DSBGA6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
2511 |
DSBGA-6 |
8484 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
TI |
23+ |
DSBGA6 |
18648 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
24+ |
VSON8 |
6000 |
美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
22+ |
DSBGA6 |
18658 |
原装正品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
TI |
2025+ |
DSBGA-6 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 |
