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CSD25211W1015规格书详情
1 Features
• Ultra-low on resistance
• Ultra-low Qg and Qgd
• Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
• Low profile 0.62 mm height
• Pb Free
• Gate-source voltage clamp
• Gate ESD protection – 3 kV
• RoHS compliant
• Halogen free
2 Applications
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection
3 Description
The device is designed to deliver the lowest on
resistance and gate charge in the smallest outline
possible with excellent thermal characteristics in an
ultra-low profile.
产品属性
- 型号：
CSD25211W1015
- 功能描述：
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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