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CSD25211W1015.B	文件：956.23 Kbytes Page：14 Pages	丝印：25211；Package：DSBGA；CSD25211W1015, P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm • Low profile 0.62 mm height • Pb Free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection – 3 kV • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery P 文件：956.23 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25211W1015	文件：956.23 Kbytes Page：14 Pages	CSD25211W1015, P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm • Low profile 0.62 mm height • Pb Free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection – 3 kV • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery P 文件：956.23 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
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更多CSD25211W1015.B供应商更新时间2025-10-4 15:01:00