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CSD25304W1015 | 丝印:25304;Package:DSBGA;CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 27 mΩ, –20 V, P-Channel device 文件:476.64 Kbytes 页数:11 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CSD25304W1015 | 20V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件:420.96 Kbytes 页数:12 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CSD25304W1015 | 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 27mΩ,20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W,脉宽 ≤100μs,占空比 ≤1% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 小封装尺寸\n• 低高度(高度为 0.62mm)\n• 无铅\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装; | TI 德州仪器 | TI | |
丝印:25304;Package:DSBGA;CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 27 mΩ, –20 V, P-Channel device 文件:476.64 Kbytes 页数:11 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:25304;Package:DSBGA;CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 27 mΩ, –20 V, P-Channel device 文件:476.64 Kbytes 页数:11 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:25304;Package:DSBGA;CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 27 mΩ, –20 V, P-Channel device 文件:476.64 Kbytes 页数:11 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件:1.06003 Mbytes 页数:17 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
20V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件:420.96 Kbytes 页数:12 Pages | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- VGS (V):
-8
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
32.5
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):
45.5
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):
92
- Id peak (Max) (A):
-41
- Id max cont (A):
-3
- QG typ (nC):
3.3
- QGD typ (nC):
0.5
- QGS typ (nC):
0.7
- VGSTH typ (V):
-0.8
- Package (mm):
WLP 1.0x1.5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
25+ |
DSBGA-6 |
3000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
BGA |
50 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
DSBGA-6 |
19048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI |
24+ |
DSBGA|6 |
70230 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
BGA |
49300 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
TI |
25+ |
DSBGA-6 |
80000 |
原装正品 欢迎来电咨询 价格从优 |
询价 | ||
TI支持实单 |
24+ |
DSBGA-6 |
20000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
TI |
23+ |
New |
5025 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
TI |
16+ |
DSBGA |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2447 |
DSBGA-6 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
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- SI7956DP
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- SI7938DP
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- SI7948DP
- SI7946ADP
- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
- GRM21BR71H104JA11#
- TL074
- TL074