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CSD25304W1015数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD25304W1015

功能描述

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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CSD25304W1015规格书详情

描述 Description

这款 27mΩ,20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W,脉宽 ≤100μs,占空比 ≤1%

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 小封装尺寸
• 低高度(高度为 0.62mm)
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装

应用 Application

电池管理
负载开关
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25304W1015

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-8

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :32.5

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :45.5

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :92

  • Id peak (Max) (A)

    :-41

  • Id max cont (A)

    :-3

  • QG typ (nC)

    :3.3

  • QGD typ (nC)

    :0.5

  • QGS typ (nC)

    :0.7

  • VGSTH typ (V)

    :-0.8

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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