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CSD23280F3数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD23280F3

功能描述

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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CSD23280F3规格书详情

描述 Description

这款 –12V、97mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

特性 Features

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 高工作漏极电流
• 超小尺寸
• 0.73mm × 0.64mm

• 超薄
• 最大高度为 0.35mm

• 集成 ESD 保护二极管
• 额定值 > 4kV HBM
• 额定值 > 2kV CDM

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD23280F3

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-6

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :116

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :165

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :250

  • Id peak (Max) (A)

    :-11.4

  • Id max cont (A)

    :-1.8

  • QG typ (nC)

    :0.95

  • QGD typ (nC)

    :0.068

  • QGS typ (nC)

    :0.3

  • VGSTH typ (V)

    :-0.65

  • Package (mm)

    :LGA 0.7x0.6mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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