CSD22205L中文资料采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD22205L规格书详情
描述 Description
该 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。
特性 Features
• 低电阻
• 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
• 扁平设计，高度为 0.35mm
• 无铅
• 栅源电压钳位
• 栅极 ESD 保护
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
技术参数
- 制造商编号
：CSD22205L
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：9.9
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：15
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：40
- Id peak (Max) (A)
：-71
- Id max cont (A)
：-7.4
- QG typ (nC)
：6.5
- QGD typ (nC)
：1
- QGS typ (nC)
：1.2
- VGSTH typ (V)
：-0.7
- Package (mm)
：LGA 1.2x1.2mm
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TI/德州仪器 |
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