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CSD19537Q3数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD19537Q3

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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CSD19537Q3规格书详情

描述 Description

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD19537Q3

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :14.5

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :219

  • QG typ (nC)

    :16

  • QGD typ (nC)

    :2.9

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :53

  • ID - package limited (A)

    :50

  • Logic level

    :No

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