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CSD19537Q3规格书详情
描述 Description
这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
:CSD19537Q3
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:14.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:219
- QG typ (nC)
:16
- QGD typ (nC)
:2.9
- Package (mm)
:SON3x3
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:53
- ID - package limited (A)
:50
- Logic level
:No
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSON-8 |
14548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
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VSON-CLIP |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
2023+ |
VSON8 |
2500 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSON-8 |
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TI |
24+ |
VSON8 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
VSON8 |
100000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
VSON-8 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
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TI |
24+ |
VSON-CLIP|8 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
VSON-8 |
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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