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CSD19501KCS中文资料采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD19501KCS

功能描述

采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD19501KCS规格书详情

描述 Description

这款 80V,5.5mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.7,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用 Application

次级侧同步整流器
电机控制

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD19501KCS

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :6.6

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :305

  • QG typ (nC)

    :38

  • QGD typ (nC)

    :5.8

  • Package (mm)

    :TO-220

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :129

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :No

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