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CSD18537NQ5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD18537NQ5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD18537NQ5A规格书详情

描述 Description

这款 10mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值 。最大 RθJC = 2.1°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用 Application

高侧同步降压转换器
电机控制

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD18537NQ5A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :13

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :151

  • QG typ (nC)

    :14

  • QGD typ (nC)

    :2.3

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :54

  • ID - package limited (A)

    :50

  • Logic level

    :No

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