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CSD18511KCS中文资料采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD18511KCS

功能描述

采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 17:06:00

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CSD18511KCS规格书详情

描述 Description

此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。

特性 Features

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(ON)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD18511KCS

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :4.2

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.6

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :64

  • QGD typ (nC)

    :9.7

  • Package (mm)

    :TO-220

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :194

  • ID - package limited (A)

    :110

  • Logic level

    :Yes

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