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CSD18511KCS中文资料采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18511KCS规格书详情
描述 Description
此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(ON)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
:CSD18511KCS
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:4.2
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:2.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:400
- QG typ (nC)
:64
- QGD typ (nC)
:9.7
- Package (mm)
:TO-220
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:194
- ID - package limited (A)
:110
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
TO-220|3 |
684100 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
TO-220 |
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TO263 |
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TI/德州仪器 |
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TO-263 |
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TI |
23+ |
NA |
20000 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
TO-263-3 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TO-2203 |
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24+ |
TO-220 |
6000 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
TO-2203 |
25000 |
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