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CSD17581Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17581Q5A规格书详情
描述 Description
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 30V、2.9mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻抗
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用 Application
用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
技术参数
- 制造商编号
:CSD17581Q5A
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:4.2
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:3.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:256
- QG typ (nC)
:20
- QGD typ (nC)
:4
- Package (mm)
:SON5x6
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:123
- ID - package limited (A)
:60
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSONP8 |
161927 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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TI |
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VSONP-8 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
VSONP8 |
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TI |
24+ |
VSONP-8 |
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TI |
23+ |
VSONP-8 |
20000 |
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