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CSD17577Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17577Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD17577Q3A规格书详情

描述 Description

这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。顶部图标 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJC = 3.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装

应用 Application

网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步FET应用进行了优化

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17577Q3A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :6.4

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :4.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :239

  • QG typ (nC)

    :13

  • QGD typ (nC)

    :2.8

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :83

  • ID - package limited (A)

    :35

  • Logic level

    :Yes

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