首页>CSD17577Q3A>规格书详情
CSD17577Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17577Q3A规格书详情
描述 Description
这款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。顶部图标 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJC = 3.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
应用 Application
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步FET应用进行了优化
技术参数
- 制造商编号
：CSD17577Q3A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：6.4
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：4.8
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：239
- QG typ (nC)
：13
- QGD typ (nC)
：2.8
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.4
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：83
- ID - package limited (A)
：35
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
2022+ |
VSONP-8 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
TI |
25+ |
SON8 |
1000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
NA |
32360 |
TI/德州仪器全新特价CSD17577Q3A即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
VSONP-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
TI |
21+ |
VSON-8 |
1574 |
询价 | |||
TI |
21+ |
VSONP8 |
425 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
正纳电子热销 |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
新年份 |
DFN3*3 |
14460 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2450+ |
SON8 |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
