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CSD17577Q3A规格书详情
描述 Description
这款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。顶部图标 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJC = 3.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
应用 Application
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步FET应用进行了优化
技术参数
- 制造商编号
：CSD17577Q3A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：6.4
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：4.8
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：239
- QG typ (nC)
：13
- QGD typ (nC)
：2.8
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.4
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：83
- ID - package limited (A)
：35
- Logic level
：Yes
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