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CSD17559Q5规格书详情
描述 Description
这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 极低电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用 Application
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
同步整流
有源或操作(ORing)和热插拔应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD17559Q5
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：1.5
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：1.15
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：400
- QG typ (nC)
：39
- QGD typ (nC)
：9.3
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.4
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：257
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
VSONP8 |
5000 |
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TI/德州仪器 |
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NA/ |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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TI(德州仪器) |
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TI(德州仪器) |
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原装，正品 |
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SON |
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TI(德州仪器) |
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TI |
21+ |
VSONP-8 |
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