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CSD17382F4数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD17382F4

功能描述

采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 18:16:00

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CSD17382F4规格书详情

描述 Description

这种 30V、54mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

特性 Features

• 低导通电阻
• 低 Qg和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
• 1.0mm × 0.6mm

• 超薄
• 高度为 0.35mm

• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 3kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17382F4

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :67

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :14.8

  • QG typ (nC)

    :2.1

  • QGD typ (nC)

    :0.63

  • Package (mm)

    :LGA 1.0x0.6mm

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :0.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :2.3

  • ID - package limited (A)

    :2.3

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
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TI原装主营-可开原型号增税票
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TI(德州仪器)
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