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CSD17322Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17322Q5A规格书详情
描述 Description
此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
特性 Features
• 针对 5V 栅极驱动而优化
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定
• 无铅终端镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
技术参数
- 制造商编号
:CSD17322Q5A
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:12.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:104
- QG typ (nC)
:3.6
- QGD typ (nC)
:1.1
- Package (mm)
:SON5x6
- VGS (V)
:10
- VGSTH typ (V)
:1.6
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:87
- ID - package limited (A)
:87
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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TI |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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