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CSD17322Q5A数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD17322Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:03:00

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CSD17322Q5A规格书详情

描述 Description

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

特性 Features

• 针对 5V 栅极驱动而优化
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定
• 无铅终端镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17322Q5A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :12.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :104

  • QG typ (nC)

    :3.6

  • QGD typ (nC)

    :1.1

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :87

  • ID - package limited (A)

    :87

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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