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CSD17382F4	文件：1.14058 Mbytes Page：12 Pages	CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 3-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 文件：1.14058 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17382F4	文件：591.65 Kbytes Page：13 Pages	30V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：591.65 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17382F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这种 30V、54mΩ、N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。 • 低导通电阻\n• 低 Qg和 Qgd\n• 低阈值电压\n• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 1.0mm × 0.6mm\n \n• 超薄 \n• 高度为 0.35mm\n \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 3kV 人体模型 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD17382F4.B	文件：1.14058 Mbytes Page：12 Pages	CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 3-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 文件：1.14058 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17382F4T	文件：1.14058 Mbytes Page：12 Pages	CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 3-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 文件：1.14058 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17382F4T.B	文件：1.14058 Mbytes Page：12 Pages	CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 3-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 文件：1.14058 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17382F4T	文件：591.65 Kbytes Page：13 Pages	30V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：591.65 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
67
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
14.8
QG typ (nC)：
2.1
QGD typ (nC)：
0.63
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
2.3
ID - package limited (A)：
2.3
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鑫炜纳电子有限公司	CSD17382F4	TI/德州仪器	20+	PICOSTAR-3	3000	原装现货,假一罚十	询价
上海皇华信息科技有限公司	CSD17382F4	TI	21+		626796	原装正品,现货供应	询价
芯灿微（深圳）科技有限公司	CSD17382F4	TI/德州仪器	22+	PICOSTAR-3	50000		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD17382F4	TI(德州仪器)	24+	PicoStar-3	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多CSD17382F4供应商更新时间2025-11-22 10:38:00

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