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CSD17551Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17551Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD17551Q3A规格书详情

描述 Description

这款 30V、7.8mΩ、3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17551Q3A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :11.8

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :71

  • QG typ (nC)

    :6

  • QGD typ (nC)

    :1.5

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :48

  • ID - package limited (A)

    :48

  • Logic level

    :Yes

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