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CSD17551Q5A数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD17551Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:03:00

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CSD17551Q5A规格书详情

描述 Description

NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。RθJA=41.9°C/W,这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2),2 盎司(厚度为 0.071mm)铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 低热阻
• 额定雪崩能量
• 无铅端子封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17551Q5A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :11

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :8.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :85

  • QG typ (nC)

    :6

  • QGD typ (nC)

    :1.4

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :48

  • ID - package limited (A)

    :48

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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