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CSD17576Q5B数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD17576Q5B

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:03:00

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CSD17576Q5B规格书详情

描述 Description

这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

特性 Features

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5mm × 6mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17576Q5B

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :2.9

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :25

  • QGD typ (nC)

    :5.4

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :184

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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