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CSD17573Q5B规格书详情
描述 Description
此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 超低导通电阻 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• SON 5mm × 6mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD17573Q5B
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：1.45
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：400
- QG typ (nC)
：49
- QGD typ (nC)
：11.9
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.4
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：332
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
VSON8 |
20000 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
QFN |
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德州仪器/TI |
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2000 |
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TI |
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VSON8 |
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TI/德州仪器 |
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QFN |
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TI(德州仪器) |
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TI/德州仪器 |
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DFN5X6 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
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TI(德州仪器) |
24+ |
N/A |
6000 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
VSON-8 |
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