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CSD17483F4规格书详情
描述 Description
这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化，能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小 占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
特性 Features
• 低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 高度为 0.35mm
• 集成 ESD 保护二极管
• 额定值 > 4kV HBM
• 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
单节电池应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD17483F4
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：260
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：230
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：5
- QG typ (nC)
：1.01
- QGD typ (nC)
：0.13
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
：12
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：1.5
- ID - package limited (A)
：1.5
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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