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CSD17579Q3A规格书详情
描述 Description
这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗提供了灵活性和便利性。
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD17579Q3A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：14.2
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：10.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：106
- QG typ (nC)
：5.3
- QGD typ (nC)
：1.2
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：39
- ID - package limited (A)
：20
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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