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CSD17579Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17579Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD17579Q3A规格书详情

描述 Description

这款 30V,8.7mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗提供了灵活性和便利性。

特性 Features

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17579Q3A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :14.2

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :10.2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :106

  • QG typ (nC)

    :5.3

  • QGD typ (nC)

    :1.2

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :39

  • ID - package limited (A)

    :20

  • Logic level

    :Yes

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