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CSD17579Q3A	文件：753.96 Kbytes Page：12 Pages	CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computing Syste 文件：753.96 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3A	文件：1.02283 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02283 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD17579Q3A	文件：698.3 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：698.3 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3A.B	文件：753.96 Kbytes Page：12 Pages	丝印：17579；Package：VSONP；CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computing Syste 文件：753.96 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3AT	文件：753.96 Kbytes Page：12 Pages	丝印：17579；Package：VSONP；CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computing Syste 文件：753.96 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3AT.B	文件：753.96 Kbytes Page：12 Pages	丝印：17579；Package：VSONP；CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computing Syste 文件：753.96 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3A_15	文件：1.17332 Mbytes Page：15 Pages	CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.17332 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3A_16	文件：698.3 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：698.3 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3AT	文件：698.3 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：698.3 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17579Q3A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗提供了灵活性和便利性。 • 低 Qg 和 Qgd\n• 低 RDS(on)\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
14.2
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
10.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
106
QG typ (nC)：
5.3
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
39
ID - package limited (A)：
20
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	CSD17579Q3A	TI/德州仪器	25+	VSONP-8	3000	价格优势,支持实单	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD17579Q3A	TI/德州仪器	25+	VSON8	32000	TI/德州仪器全新特价CSD17579Q3A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD17579Q3A供应商更新时间2025-11-21 15:01:00

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