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CSD17577Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17577Q5A规格书详情
描述 Description
这款 30V，3.5mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。顶部图标 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJC = 2.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用 Application
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
针对控制和同步FET应用进行了优化
技术参数
- 制造商编号
：CSD17577Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：5.8
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：4.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：280
- QG typ (nC)
：13
- QGD typ (nC)
：2.8
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.4
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：83
- ID - package limited (A)
：60
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSONP8 |
17048 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSON8 |
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TI/德州仪器 |
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VSON8 |
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TI |
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ti |
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VSONP-8 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSONP|8 |
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TI/德州仪器 |
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VSONP8 |
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TI/德州仪器 |
18+ |
VSON8 |
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询价 |
