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CSD17579Q5A数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD17579Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 20:03:00

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CSD17579Q5A规格书详情

描述 Description

这款 30V,8.4mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

特性 Features

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用 Application

用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17579Q5A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :13.3

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :9.7

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :105

  • QG typ (nC)

    :5.4

  • QGD typ (nC)

    :1.2

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :46

  • ID - package limited (A)

    :25

  • Logic level

    :Yes

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