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CSD18502KCS规格书详情
描述 Description
这款 2.4mΩ，40V，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用 Application
直流-直流转换
次级侧同步整流器
电机控制
技术参数
- 制造商编号
：CSD18502KCS
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：4.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：2.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：400
- QG typ (nC)
：52
- QGD typ (nC)
：8.4
- Package (mm)
：TO-220
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：212
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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