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CSD18510Q5B中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18510Q5B规格书详情
描述 Description
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。
特性 Features
• 低 RDS(ON)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
:CSD18510Q5B
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:1.6
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:0.96
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:400
- QG typ (nC)
:118
- QGD typ (nC)
:21
- Package (mm)
:SON5x6
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:300
- ID - package limited (A)
:100
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
QFN |
12048 |
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TI |
25+ |
SON |
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TI |
24+ |
VSON-CLIP|8 |
70230 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
VSON-CLIP-8 |
11168 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI |
25+23+ |
SON |
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TI/德州仪器 |
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TI |
24+ |
SON-8 |
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TI |
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SON |
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TI |
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SON-8 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
SON-8 |
5000 |
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询价 |