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CSD18510Q5B	文件：624.39 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18510；Package：VSON-CLIP；CSD18510Q5B N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description 文件：624.39 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18510Q5B	文件：565.94 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：565.94 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18510Q5B.B	文件：624.39 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18510；Package：VSON-CLIP；CSD18510Q5B N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description 文件：624.39 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18510Q5BT	文件：624.39 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18510；Package：VSON-CLIP；CSD18510Q5B N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description 文件：624.39 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18510Q5BT.B	文件：624.39 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18510；Package：VSON-CLIP；CSD18510Q5B N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description 文件：624.39 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18510Q5BT	文件：565.94 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：565.94 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18510Q5B	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。 • 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
1.6
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
0.96
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
118
QGD typ (nC)：
21
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.7
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
300
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	CSD18510Q5B	TI	19+	SON	15000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD18510Q5B	TI/德州仪器	25+	TDSON-8	20300	TI/德州仪器原装特价CSD18510Q5B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳德田科技有限公司	CSD18510Q5B	TI	新年份	原厂封装	5000	原装现货质量保证,可出样品可开税票	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	CSD18510Q5B	TI	24+	VSON8	36000	原装正品优势供应支持实单	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD18510Q5B	TI(德州仪器)	24+	QFN	12048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CSD18510Q5B	TI	24+	VSON-CLIP\|8	70230	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CSD18510Q5B	TI(德州仪器)	24+	VSON-CLIP-8	11168	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	CSD18510Q5B	TI/德州仪器	24+	VSON8	20000	原装正品支持实单	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	CSD18510Q5B	TI(德州仪器)	2526+	VSON-8(5x6)	3000	全新、原装	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	CSD18510Q5B	TI	25+23+	SON	75736	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价

更多CSD18510Q5B供应商更新时间2025-10-13 16:04:00

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