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CSD18510Q5BT

N-Channel NexFET Power MOSFET

文件:565.94 Kbytes 页数:13 Pages

TI

德州仪器

CSD18510Q5B

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。 • 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;

TI

德州仪器

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    1.6

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):

    0.96

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    400

  • QG typ (nC):

    118

  • QGD typ (nC):

    21

  • Package (mm):

    SON5x6

  • VGS (V):

    20

  • VGSTH typ (V):

    1.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    300

  • ID - package limited (A):

    100

  • Logic level:

    Yes

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更多CSD18510Q5B供应商 更新时间2026-1-29 16:04:00