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CSD18510KTT数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD18510KTT

功能描述

采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-20 15:15:00

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CSD18510KTT规格书详情

描述 Description

这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• D2PAK 塑料封装

应用 Application

次级侧同步整流器
电机控制

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD18510KTT

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :2.6

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :1.7

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :119

  • QGD typ (nC)

    :21

  • Package (mm)

    :D2PAK

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :274

  • ID - package limited (A)

    :200

  • Logic level

    :Yes

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