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CSD18509Q5B中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD18509Q5B

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD18509Q5B规格书详情

描述 Description

这个 40V,1mΩ,SON5x6 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

特性 Features

• 超低导通电阻
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5mm × 6mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD18509Q5B

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1.7

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :1.2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :150

  • QGD typ (nC)

    :17

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :299

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

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