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CSD18504Q5A规格书详情
描述 Description
这款 5.3mΩ，SON 5 × 6mm，40V NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用 Application
直流-直流转换
次级侧同步整流
电池电机控制
技术参数
- 制造商编号
：CSD18504Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：9.8
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：6.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：275
- QG typ (nC)
：16
- QGD typ (nC)
：2.4
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：75
- ID - package limited (A)
：50
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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