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CSD18513Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18513Q5A规格书详情
描述 Description
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、2.8mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
特性 Features
• 低 RDS(ON)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• SON 5mm × 6mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD18513Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：5.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：3.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：400
- QG typ (nC)
：45
- QGD typ (nC)
：8.8
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：124
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
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VSONP8 |
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TI/德州仪器 |
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VSONP8 |
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TI/德州仪器 |
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