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CSD18513Q5A

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET; • 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• SON 5mm × 6mm 塑料封装;

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、2.8mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD18513Q5A

CSD18513Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD18513Q5AT

CSD18513Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    5.3

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):

    3.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    400

  • QG typ (nC):

    45

  • QGD typ (nC):

    8.8

  • Package (mm):

    SON5x6

  • VGS (V):

    20

  • VGSTH typ (V):

    1.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    124

  • ID - package limited (A):

    100

  • Logic level:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CSD18513Q5A供应商 更新时间2025-7-29 16:35:00