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CSD18513Q5A | 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET; • 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• SON 5mm × 6mm 塑料封装; 这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、2.8mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。 | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | |
CSD18513Q5A | CSD18513Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | |
CSD18513Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 |
技术参数
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
5.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):
3.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
400
- QG typ (nC):
45
- QGD typ (nC):
8.8
- Package (mm):
SON5x6
- VGS (V):
20
- VGSTH typ (V):
1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
124
- ID - package limited (A):
100
- Logic level:
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI(德州仪器) |
23+ |
N/A |
12000 |
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TI(德州仪器) |
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VSONP8 |
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TI |
24+ |
VSONP|8 |
279100 |
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TI |
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VSONP8 |
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TI |
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1983 |
只做原装正品 |
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TI |
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VSONP |
10000 |
原装正品 |
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TI |
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DFN-8 |
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TI(德州仪器) |
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VSONP-8 |
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TI(德州仪器) |
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NA |
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TI(德州仪器) |
24+/25+ |
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更新时间2025-7-29 16:35:00
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