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CSD18532KCS中文资料采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18532KCS规格书详情
描述 Description
这款 60V,3.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用 Application
直流-直流转换
次级侧同步整流器
电机控制
技术参数
- 制造商编号
:CSD18532KCS
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:5.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:4.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:400
- QG typ (nC)
:44
- QGD typ (nC)
:6.9
- Package (mm)
:TO-220
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:169
- ID - package limited (A)
:100
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2016+ |
TO220 |
17500 |
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TI |
24+ |
TO-220 |
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TI |
25+ |
TO-220 |
703 |
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TI |
24+ |
TO220 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
TO-220(TO-220-3) |
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询价 | ||
TI |
24+ |
TO-220|3 |
70230 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
TO-220 |
880000 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
SMD |
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TI |
25+23+ |
TO220 |
75737 |
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