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CSD18542KTT中文资料采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18542KTT规格书详情
描述 Description
这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• D2PAK 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
:CSD18542KTT
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:5.1
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:400
- QG typ (nC)
:44
- QGD typ (nC)
:6.9
- Package (mm)
:D2PAK
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:170
- ID - package limited (A)
:200
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
TO-263-3 |
9863 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
NA/ |
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TI |
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DDPAK/TO-263|3 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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TI |
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TO-263-3 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TO-263-3 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
TO-263-3 |
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TI/德州仪器 |
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