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CSD18542KTT	文件：321.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CSD18542KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET; • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装; 这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CSD18542KTT	文件：524.87 Kbytes Page：13 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD18542KTTT	文件：524.87 Kbytes Page：13 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD18542KTTT	文件：524.87 Kbytes Page：13 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD18542KCS	文件：321.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CSD18542KCS	文件：468.71 Kbytes Page：11 Pages	60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.1
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
4
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
44
QGD typ (nC)：
6.9
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
170
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
Yes

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