CSD18542KTT资料datasheet下载原装现货TI-114ic电子网

首页 >CSD18542KTT>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
CSD18542KTT	文件：1.03866 Mbytes Page：16 Pages	丝印：CSD18542KTT；Package：DDPAK；CSD18542KTT 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • DC-DC ,conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description 文件：1.03866 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTT.B	文件：1.03866 Mbytes Page：16 Pages	丝印：CSD18542KTT；Package：DDPAK；CSD18542KTT 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • DC-DC ,conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description 文件：1.03866 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTTT	文件：1.03866 Mbytes Page：16 Pages	丝印：CSD18542KTT；Package：DDPAK；CSD18542KTT 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • DC-DC ,conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description 文件：1.03866 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTTT.B	文件：1.03866 Mbytes Page：16 Pages	丝印：CSD18542KTT；Package：DDPAK；CSD18542KTT 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • DC-DC ,conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description 文件：1.03866 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTT	文件：321.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.0mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：321.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD18542KTT	文件：524.87 Kbytes Page：13 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：524.87 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTTT	文件：524.87 Kbytes Page：13 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：524.87 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTTT	文件：524.87 Kbytes Page：13 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：524.87 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18542KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.1
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
4
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
44
QGD typ (nC)：
6.9
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
170
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	CSD18542KTT	TI(德州仪器)	2022+原装正品	TO-263-3	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD18542KTT	TI/德州仪器	22+	TO-263-3	6000	原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD18542KTT	TI(德州仪器)	24+	TO-263-3	9863	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	CSD18542KTT		24+	TO-263-3	5000	全新、原装	询价
深圳市纳立科技有限公司	CSD18542KTT	TI	三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	CSD18542KTT	TI	20+	SMD	11520	特价全新原装公司现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CSD18542KTT	FAIRCHILD/仙童	23+	DIP-8	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	CSD18542KTT	TI/德州仪器	21+	SMD	2500	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
深圳市科雨电子有限公司	CSD18542KTT	TI	25+	TO263-3	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	CSD18542KTT	TI(德州仪器)	2021+	TO-263-3	499		询价

更多CSD18542KTT供应商更新时间2025-12-2 8:24:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号