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CSD18543Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD18543Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD18543Q3A规格书详情

描述 Description

这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 60V、8.1mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低导通电阻 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用 Application

固态继电器开关
直流-直流转换
次级侧同步整流器
经隔离转换器主级侧开关
电机控制

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD18543Q3A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :15.6

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :9.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :156

  • QG typ (nC)

    :11.1

  • QGD typ (nC)

    :1.7

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :60

  • ID - package limited (A)

    :35

  • Logic level

    :Yes

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