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CSD18543Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18543Q3A规格书详情
描述 Description
这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 60V、8.1mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低导通电阻 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用 Application
固态继电器开关
直流-直流转换
次级侧同步整流器
经隔离转换器主级侧开关
电机控制
技术参数
- 制造商编号
:CSD18543Q3A
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:15.6
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:9.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:156
- QG typ (nC)
:11.1
- QGD typ (nC)
:1.7
- Package (mm)
:SON3x3
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:2
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:60
- ID - package limited (A)
:35
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
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VSONP-8 |
22048 |
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TI/德州仪器原装正品 |
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VSONP-8 |
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TI/德州仪器 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
VSONP-8 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
VSONP-8 |
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