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CSD18541F5中文资料采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18541F5规格书详情
描述 Description
这款 54mΩ、60V N 通道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够最大限度减小许多空间受限类工业负载开关应用的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 1.53mm x 0.77mm
• 薄型
• 高度为 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
技术参数
- 制造商编号
：CSD18541F5
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：75
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：65
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：21
- QG typ (nC)
：11
- QGD typ (nC)
：1.6
- Package (mm)
：LGA 1.5x0.8mm
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.75
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：2.2
- ID - package limited (A)
：2.2
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
PICOSTAR-3 |
16048 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
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TI |
23+ |
PICOSTAR-3 |
9800 |
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TI |
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PICOSTAR|3 |
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TI/德州仪器 |
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PICOSTAR-3 |
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TI |
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TI |
23+ |
PICOSTAR-3 |
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TI/德州仪器 |
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PICOSTAR-3 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
PICOSTAR-3 |
48000 |
原装正品 |
询价 |
