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CSD19537Q3	文件：955.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19537；Package：VSON-CLIP；CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • SON 3.3-mm × 3.3-mm plastic package 2 Applications • Primary Side Isolated Converters • Motor Control 3 Description This 100-V, 12.1-mΩ, SON 3 文件：955.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3	文件：510.46 Kbytes Page：13 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：510.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3.B	文件：955.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19537；Package：null；CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • SON 3.3-mm × 3.3-mm plastic package 2 Applications • Primary Side Isolated Converters • Motor Control 3 Description This 100-V, 12.1-mΩ, SON 3 文件：955.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3T	文件：955.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19537；Package：VSON-CLIP；CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • SON 3.3-mm × 3.3-mm plastic package 2 Applications • Primary Side Isolated Converters • Motor Control 3 Description This 100-V, 12.1-mΩ, SON 3 文件：955.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3T.B	文件：955.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19537；Package：null；CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • SON 3.3-mm × 3.3-mm plastic package 2 Applications • Primary Side Isolated Converters • Motor Control 3 Description This 100-V, 12.1-mΩ, SON 3 文件：955.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3_15	文件：478.73 Kbytes Page：13 Pages	CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：478.73 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19537Q3T	文件：510.46 Kbytes Page：13 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：510.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
14.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
219
QG typ (nC)：
16
QGD typ (nC)：
2.9
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
3
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
53
ID - package limited (A)：
50
Logic level：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD19537Q3供应商更新时间2025-10-5 10:30:00

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