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CSD18540Q5B规格书详情
描述 Description
此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。
中的封装尺寸拼写错误
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD18540Q5B
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：3.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：2.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：400
- QG typ (nC)
：41
- QGD typ (nC)
：6.7
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：221
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
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